Керамічний диск із нітриду алюмінію з просвердленнями: точне рішення для керування температурою
Огляд продукту
Керамічний диск Puwei з нітриду алюмінію (AlN) — це високоефективний інженерний компонент, призначений для критичного теплового та електричного управління в передовій електронній упаковці та упаковці для мікроелектроніки . Завдяки прецизійним просвердленням отворів для кріплення, з’єднання або охолодження цей диск забезпечує неперевершене розсіювання тепла (170-200 Вт/м·К) і надійну електричну ізоляцію для потужних мікроелектронних компонентів і пристроїв з вимогливою потужністю . Будучи універсальною голою керамічною пластиною , вона служить основою для складних інтегральних схем і рішень для упаковки датчиків .
Керамічний диск AlN з прецизійним свердлінням і шаблоном отворів, що налаштовується.
Технічні характеристики
Виготовлені з нітриду алюмінію високої чистоти, наші диски забезпечують стабільну та надійну продуктивність для передової мікроелектроніки .
Матеріал і фізичні властивості
- Теплопровідність: 170-200 Вт/м·К (25°C) – у 8-10 разів вище, ніж оксид алюмінію.
- Коефіцієнт теплового розширення (CTE): 4,5x10⁻⁶/°C (RT-400°C) – відповідає кремнію.
- Діелектрична проникність (εr): 8,9 при 1 МГц.
- Діелектрична міцність: 15-20 кВ/мм.
- Питомий об'ємний опір: >10¹⁴ Ω·см.
- Міцність на вигин: 300-400 МПа.
- Щільність: ≥3,28 г/см³.
Точне свердління та розміри
- Допуск на діаметр отвору: ±0,02 мм.
- Точність розташування отвору: ±0,05 мм.
- Стандартні візерунки: круглі/прямокутні масиви; доступні спеціальні макети.
- Шорсткість поверхні (Ra): ≤0,4 мкм (полірована); доступна дзеркальна обробка.
- Діапазон товщини: від 0,2 мм до 2,0 мм.
Комплексні параметри продуктивності для інженерної перевірки.
Основні переваги для вашої програми
- Надвисока теплопровідність: 170-200 Вт/м·К активно відбирає тепло від гарячих точок в інтегральних схемах і мікрохвильових компонентах , що забезпечує вищу щільність потужності в компактних конструкціях.
- Точна обробка та допуски: допуск на діаметр отвору в межах ±0,02 мм забезпечує ідеальну підгонку для складання у високочастотних модулях і упаковках датчиків , усуваючи проблеми з вирівнюванням.
- Чудова електрична ізоляція: питомий об’ємний опір >10¹⁴ Ω·см і висока діелектрична міцність (15-20 кВ/мм) роблять його ідеальним ізоляційним елементом для застосування під високою напругою.
- Відмінна механічна та хімічна стабільність: висока міцність на вигин (300-400 МПа) і стійкість до плазми/хімічних речовин гарантують надійність у жорстких напівпровідникових середовищах.
- Гнучкість дизайну: повністю настроювані розміри, шаблони отворів і обробка поверхні для гібридних мікросхем і термоелектричних вузлів охолодження .
Особливості продукту та переваги продуктивності
Неперевершене управління температурою
Виняткова теплопровідність (170-200 Вт/м·К) ефективно відводить тепло від чутливих спаїв у силових пристроях і оптоелектроніці . Просвердлені отвори полегшують безпосереднє охолодження або монтаж компонентів, суттєво підвищуючи ефективність теплообмінника та забезпечуючи вищу щільність потужності в мікрохвильових системах .
Точна інженерія для надійної інтеграції
Кожен диск, оброблений на станках з ЧПУ з точними допусками (діаметр отвору ±0,02 мм, точність позиціонування ±0,05 мм), забезпечує стабільність розмірів і ідеальне вирівнювання отворів. Ця точність має вирішальне значення для інтеграції в складні радіочастотні схеми та товстоплівкові гібридні мікросхеми, де неузгодженість може спричинити збої.
Надійні електричні та механічні характеристики
Діє як міцний ізоляційний елемент у середовищах високої напруги, запобігаючи витоку струму з питомим об’ємним опором >10¹⁴ Ω·см. Його висока механічна міцність (міцність на вигин 300-400 МПа) підтримує компоненти в умовах, схильних до вібрації, типових для автомобільного та промислового застосування.
Хімічна інертність для суворих умов
Стійкий до більшості хімічних речовин і плазмової ерозії, що забезпечує тривалу надійність у складному виготовленні напівпровідників, плазмовому травленні та промислових процесах, де керамічні компоненти повинні витримувати агресивні середовища.
CTE, відповідний напівпровідникам
Коефіцієнт теплового розширення (4,5x10⁻⁶/°C) майже відповідає кремнію та GaAs, зменшуючи термомеханічну напругу в упаковці мікроелектроніки та запобігаючи розшаруванню під час термічного циклу.
Інструкції з проектування та інтеграції
- Проектування та моделювання системи: додайте розміри диска та малюнок отворів у вашу теплову/електричну модель для оптимальної роботи електронної упаковки . Наші інженери можуть надати моделі CAD.
- Підготовка поверхні: переконайтеся, що монтажні поверхні чисті та рівні. Застосуйте відповідний термоінтерфейсний матеріал (TIM), щоб максимізувати передачу тепла від ваших силових пристроїв .
- Механічна збірка: використовуйте точні отвори (±0,02 мм) для надійного кріплення, прокладки дроту або як канали для охолоджуючої рідини у вузлах потужних мікроелектронних компонентів .
- Підключення до теплової системи: підключайте до радіаторів або холодних пластин, щоб використовувати чудову здатність розподілу тепла диска (170-200 Вт/м·К).
- Підтверджувальні випробування: виконайте термоциклічні (від -55°C до +150°C), електричну ізоляцію (>10¹⁴ Ω·см) і механічні випробування на навантаження, щоб підтвердити продуктивність в умовах застосування.
Основні сценарії застосування
Потужна та радіочастотна електроніка
Використовується як теплопровідні прокладки, ізолятори або підкладки у високочастотних модулях , мікрохвильових установках і радіочастотних підсилювачах потужності для інфраструктури 5G. Отвори дозволяють кріпити кріпильні елементи або проходити провід без шкоди для електричної ізоляції.
Удосконалена упаковка датчиків і лазерів
Забезпечує стабільну ізоляційну платформу з тепловими отворами для упаковки датчиків і кріплення лазерних діодів ( керамічні компоненти для управління температурою в оптоелектроніці ). Точні отвори забезпечують оптичне вирівнювання.
Збірка силового модуля
Інтегрується в силові модулі IGBT і SiC як ізоляційний шар, що розподіляє тепло для силових пристроїв . Просвердлені отвори вирівнюються з шинами або забезпечують пряме охолодження потужних мікроелектронних компонентів .
Термоелектричні прилади та прилади Пельтьє
Служить високоефективною підкладкою або розподільником тепла в термоелектричних охолоджуючих вузлах і модулях генерації електроенергії, де ефективна теплопередача є критичною. Отвори призначені для електричних з’єднань.
Дослідження та створення прототипів (R&D)
Спеціальні диски використовуються як спеціалізовані підкладки або фіксатори в дослідженнях і розробках для упаковки мікроелектроніки наступного покоління та тестування інтегральних схем , що дозволяє швидко повторювати концепції управління температурою.
Стратегічна цінність для вашої діяльності
- Збільшення щільності потужності: чудова теплопровідність забезпечує на 30-50% більшу потужність при тій самій площі, що підтримує дизайн електронної упаковки нового покоління.
- Підвищення надійності: точне розташування отворів усуває помилки при складанні, тоді як узгодження CTE зменшує термічні навантаження на 40%.
- Спрощення складання: попередньо просвердлені отвори усувають додаткові операції обробки, зменшуючи складність і вартість виробництва.
- Подовження терміну служби продукту: хімічна інертність і механічна міцність забезпечують у 5-10 разів довший термін служби, ніж альтернативні полімери, у суворих умовах.
- Прискорення часу виходу на ринок: спеціальні прототипи доступні через 2-3 тижні для швидкої перевірки дизайну.
Налаштування та послуги OEM/ODM
Ми адаптуємо диски AlN відповідно до ваших точних специфікацій для бездоганної інтеграції у ваші гібридні мікросхеми або системи:
- Розміри: індивідуальні діаметри (від 1 мм до 200 мм), товщина (від 0,2 мм до 2,0 мм) і нестандартні форми (прямокутні, квадратні, з виїмками).
- Конфігурація отворів: Повний контроль над кількістю, діаметром (від 0,1 мм до 10 мм), шаблоном (матриця, радіальний, індивідуальний) і точністю позиціонування (±0,05 мм).
- Оздоблення поверхні: варіанти включають обпалену, поліровану (Ra ≤ 0,1 мкм), притерту або металізовану (з покриттями Au, Ag, Ni, Cu) для паяння/пайки в термоелектричних охолоджуючих вузлах .
- Матеріал і продуктивність: вибір марок AlN, оптимізованих для конкретних вимог до термічних або механічних властивостей.
- Обробка країв: фаска, округлення або виїмки для безпечного поводження та складання.
Виробничий процес і гарантія якості
- Обробка порошку: Формування порошку AlN високої чистоти з контрольованим розподілом частинок за розміром.
- Формування: Сухе пресування або лиття стрічки в "зелені" корпуси з формою, майже наближеною до чистої.
- Спікання: високотемпературний випал у контрольованій атмосфері азоту (до 1850°C) для досягнення повної щільності (>99,5%).
- Точна обробка: шліфування з ЧПУ до кінцевих розмірів і лазерне/механічне свердління отворів з мікронною точністю.
- Перевірка та випробування: 100% перевірка розмірів (CMM), тестування зразків на термічні/електричні властивості та візуальний огляд відповідно до стандартів ISO.
Наш досвід у керамічній підкладці з глинозему та вдосконаленому виробництві кераміки забезпечує якість світового рівня для кожного компонента.
Сертифікати та відповідність
Puwei дотримується міжнародних стандартів, забезпечуючи якість і надійність продукції для світових ринків.
- Система менеджменту якості: ISO 9001:2015 Сертифіковані підприємства.
- Відповідність матеріалів: відповідає директивам RoHS і REACH – усі матеріали екологічно безпечні.
- Контроль процесу: суворий контроль якості від партії до партії та повна відстежуваність матеріалів із документацією.
- Тестування на надійність: Тестування на термоциклічність, діелектричну міцність і герметичність доступні за запитом.
Керамічний диск із нітриду алюмінію з просвердленнями від Puwei поєднує в собі передові матеріалознавчі технології та точну інженерію, щоб забезпечити надійне, високоефективне управління температурою для найвибагливіших електронних застосувань. Завдяки широким можливостям налаштування та суворому контролю якості ми надаємо компоненти, які підвищують щільність потужності, підвищують надійність і знижують експлуатаційні витрати в секторах напівпровідників, силової електроніки, оптоелектроніки та вдосконаленої упаковки.
Зв'язатися з нами
